三星NAND闪存价格暴涨超100%

据韩国权威行业媒体最新披露，三星电子第一季度将NAND闪存供应价格上调超过100%，涨幅远超此前市场预期，凸显当前半导体市场供需严重失衡的现状。

消息人士透露，三星已于去年底完成与主要客户的供应合同谈判，并自1月起正式执行新的价格体系。这是继此前DRAM内存价格上调近70%后，存储市场迎来的又一次剧烈价格波动。

报道进一步指出，三星已开始与客户就第二季度NAND价格展开新一轮谈判，市场普遍预期涨价势头将在第二季度持续。

供需失衡是此轮价格飙升的核心推手
在需求端，AI基础设施投资大幅增加，带动企业级固态硬盘需求显著上升；同时，移动设备与PC正加速采用更高性能、更大容量的存储方案。尤其是“端侧AI”趋势的快速发展，进一步放大了对高规格存储芯片的需求。

供给端则面临明显的刚性制约。过去一年中，NAND闪存领域未出现大规模产能扩张，包括三星在内的主要制造商均保持审慎投资态度，行业共识认为出货量增长极为有限。由于半导体产能建设周期较长，短期难以通过增加供给抑制价格。

库存方面，2023至2024年存储行业经历了长时间去库存，目前渠道与客户库存均处于历史低位，一旦需求回暖，价格弹性将大幅释放。

TrendForce报告指出，AI市场范式的转变正在彻底重塑存储市场格局。预计到2026年，全球存储器半导体市场规模将达5516亿美元，2027年更将攀升至8427亿美元，年增长率高达53%。

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